Hej Torben
Det var den oplysning, jeg fik .Kigger man på datablad er der afvigelser. F.eks. Rds. Modstanden mellem drain og source. Med hensyn til Rds:
Nu må du korrigere hvis "false": Ved Fet-transistorer er det ikke en basisstrøm (som på bipolare), der styrer ledeevnen gennem transistoren, men et elektrisk felt. Dvs. en spænding på indgangen "gaten". Der skal laves et elektrisk felt på gaten der åbner for gennemgang (D ~ S)
1. Fælles for Mosfet og J-fet er at de styres af en spænding på gaten , Ugs.
2. Stor indgangsmodstand på gaten = Ri ...utrolig høj 10 i mega Ohm statisk ( ved sinus signal (dynamisk) vil
kapacitet have indflydelse...for egen regning: da P og N fet's (udgange) ikke er helt ens tilføjes ofte en
tilpasnings kapacitet på P fet's gate)
3. Lav forstærkning for fet's
4. N J-Fet har en diodeforbindelse til gaten pegende ind mod oxidlaget ..spændingen skal derfor være negativ
5. J-fet stor udgangsmodstand , Ro...bruges derfor kun til småsignal.
6. Højere negativ spænding på gaten, -Ugs, giver mindre strøm igennem drain og source, mindre Ids. På et
tidspunkt kan den negative spænding nå et niveau, hvor J-fet'en lukker for strømmen.
7. J-fet har en modstand i source silicium materialet, som medfører et spændingsfald. Det betyder at gaten altid er negativ. Også selvom gaten sættes til source, Ugs = O . Det betyder at transistoren vil indstille en konstant
strøm ved at kortslutte gate/source . Derfor bruges J-fet's bl.a. til konstantstrømsgenerator.
Alligevel kan databladets specifikationer være vanskelige at vurdere, hvis en erstatning for 2SK170 skal findes. Det ser ud som om DS modstanden har en betydning, hvis forstærkerens indgangstrin er designet til en J-fet med en lavere DS modstand (< 55R for 2SK170)?
Kan du vurdere betydningen, da vi har fat i nogle 2SK163 ?
Mvh Kim