Jeg vil gerne tage den her et skridt videre for at synliggøre de begrænsninger der ligger i udgangstrinnet og her primært QUASI typen og hvorfor det er den type topologi der giver mest CROSSOVER forvrængning. Er man ikke teknisk anlagt er det nok sort snak det meste men jeg vil vise med grafer som som jeg håber alle kan forholde sig til .
Nu har jeg brugt SANSUI AU-101 som eksempel og det er tilfældigt hvis nogen skulle tro jeg fører et vendetta mod den kontruktion så er det ikke tilfældet.
Her har jeg bygget udgangstrinnet fra AU-101 i LtSpice og jeg benytter her de elektrolyt størrelser jeg faktisk har siddende i min men de har ikke umiddelbart indflydelse på problematikken.
Her først kredsløbet i LTSpice
Sansui_STD_AS_IS_LTspiceschematic.png
Hernæst en måde at visualisere problemstillingen på med crossover forvrængningen , jeg kigger her på BASIS-EMITTER spændingen på den ''tilsyneladende'' transistor dvs. compound koblingen af de 2 transistorer i henholdsvis den POSITIVE halvdel og den NEGATIVE halvdel og i den QUASI KOMPLEMENTÆRE udgang er de 2 halvdele uens og dermed assymetrisk.
Overføringsfunktionen set som G ( konduktans ) altså den strøm man får ved en given påtrykt spændingsforskel mellem basis og emitter eller med enheder på som eksempelvis antal mA/mV .
Sansui_G_Transfer.png
Jeg har sat lidt tekst på grafikken .
Men for at få et lineært og forvrængningsfrit signal ud i vores HT skal bidraget fra den POSITIVE transistor og den NEGATIVE transistor være ''ENS'' men blot med modsat fortegn. Sagt med andre ord kurveforløbne bør være ENS.
Som man tydeligt kan se her selv i den modkoblede forstærker er der meget forskellig hældnings koefficienter på den BLÅ ( NEG transistor ) og den GRØNNE ( POS transistor ) Der hvor de mødes er CROSSOVER området og her bestemmer BIAS settingen forskydningen af kurvernes placering i forhold til hinanden men vigtigts er at forstå at hældningskoefficienterne er markant forskellige.
Her har jeg så tilført summen af de 2 bidrag og det er den LYSERØDE og det er den STRØM der løber ud i 8ohm's belastningen og det bør være tydeligt at det bliver 2 forskellige sinus halvperioder.
Den LYSERØDE kurve BURDE være en RET LINJE for perfekt forvrængningsfrit signal !
Sansui_G_Transfer_laststrøm.png
Kurverne er lavet ved 1W i 8 ohm altså 2,87Vrms ud i 8 ohm.
Endelig det FFT spektrum man kan forvente med de viste transistorer og deres modeller og som er dem jeg bruger ser således ud
SansuiFFT_STD.png
Som det kan ses er der de mange højere harmoniske med svagt faldende amplituder .
Den teoretiske simulerede 2'harmonisk ligger på ca. -75db i forhold til grundtonen. Det er vist ikke så langt fra det faktiske resultat hvis jeg husker ret ?
Men jeg vil fortsætte med hvad en BANDAXALL DIODE gør og hvad MARANTZ og andres løsning gør uden brug af diode.
VH. Frank
Du har ikke de nødvendige tilladelser til at se vedhæftede filer i dette indlæg.